製品案内・蒸着装置
  • 超高真空ワイドエリアエバポレーター(1源タイプ) AEV-HR1
特徴
・低レート〜高レートを安定して蒸着する事により、高融点材料の蒸着も可能です。
・試料移動機構が標準装備され、長時間の蒸着が可能です。
・内蔵のフラックスモニターと専用コントローラーとの組み合わせにより蒸着速度を管理することが可能です。
・ロッド状材料が蒸着中に減少しても、試料移動機構により超高真空を破ることなく最適な蒸着試料位置への移動が可能です。
・オプションにてルツボ対応も可(ご相談ください)
・2018.05現在、試験データの収集中です。準備出来次第公開していきますので、しばらくお待ちください。

・PDFカタログはこちら→超高真空ワイドエリアエバポレーター(PDF)
AEV-HR1.jpg
仕様 Specification
ワーキングディスタンス
Working Distance
〜250mm〜250mm
蒸着エリア
Evaporation Area
φ80〜140mm程度(ワーキングディスタンスによる) Beam adjustment mechanism φ80-140mm (depends on WD)
シャッター
Shutter
手動シャッターManual shutter
水冷
Water-Cooled
水冷却/30℃以下、5L/min以上Water-cooled shroud (cooling water: < 30 degrees C; 5L/min)
試料
Sample
ロッドまたはルツボ(オプション)Wire; Rod (high melting point material); evaporation from the crucible (optional)
蒸発レート
Deposition Rate
0.1原子層/min 〜 0.5Å/s
※試料による
Standard evaporation rate: 0.1layers/min 〜 0.5Å/s
蒸着モニター
Flux Monitor
蒸着制御用内蔵フラックスモニター (AEV-3P-600にて、蒸発レートコントロールが可能)lntrnal flux monitor for deposition control (for each source): The dedicated power supply unit AEV-3P-600, allows evaporation rate control
ロッド移動
Sample Movement
中空型直線移動機構(S=30mm)(中空型直線移動機構下部のφ34ICFフランジを通して蒸着材交換)Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the φ34 ICF flange
取付フランジ
Mounting
ICF114-FH
※取付ポートの内径はφ55mm以上必要
Mountable on ICF114 flange (I.D. (internal diameter) must be φ55mm or larger)
ベーキング温度
Fully Bakeable
200℃ Max200 degrees C Max
ロッド材寸法
Rod Sample
φ4mm or φ6mm x L40mmφ4mm or φ6mm x L40mm
  • 超高真空ワイドエリアエバポレーター(3源タイプ) AEV-HR3
特徴
・AEV-HR-1と同じ蒸発源をφ152ICFに3源搭載したモデルになります。
・3源全てが独立しているので、3源同時蒸着が可能です。また、試料移動機構により、長期間超高真空を破ることなく実験を行うことができます。
・ワーキングディスタンス200mmにて1インチの成膜分布問題無しを確認(2018.05確認済み)
・オプションにてルツボ対応も可(ご相談ください)

・PDFカタログはこちら→超高真空ワイドエリアエバポレーター(PDF)
AEV-HR3.jpg

AEV-HR3_fig

AEV-HR3_fig3
仕様 Specification
ワーキングディスタンス
Working Distance
〜250mm〜250mm
蒸着エリア
Evaporation Area
φ80〜140mm程度(ワーキングディスタンスによる) Beam adjustment mechanism φ80-140mm (depends on WD)
シャッター
Shutter
手動シャッターManual shutter
水冷
Water-Cooled
水冷却/30℃以下、5L/min以上Water-cooled shroud (cooling water: < 30 degrees C; 5L/min)
温度範囲
Temperature Range
〜3300℃up to 3300 degrees C
試料
Sample
ロッドまたはルツボ(オプション)Wire; Rod (high melting point material)
蒸発レート
Deposition Rate
0.1原子層/min 〜 0.5Å/s
※試料による
Standard evaporation rate: 0.1layers/min 〜 0.5Å/s
蒸着モニター
Flux Monitor
蒸着制御用内蔵フラックスモニター (AEV-3P-600にて、蒸発レートコントロールが可能)lntrnal flux monitor for deposition control (for each source): The dedicated power supply unit AEV-3P-600, allows evaporation rate control
ロッド移動
Sample Movement
中空型直線移動機構(S=30mm)(中空型直線移動機構下部のφ34ICFフランジを通して蒸着材交換)Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the φ34 ICF flange
取付フランジ
Mounting
ICF152-FH
※取付ポートの内径はφ114.3mm以上必要
Mountable on ICF152 flange (I.D. (internal diameter) must be φ114.3 or larger)
ベーキング温度
Fully Bakeable
200℃ Max200 degrees C Max
ロッド材寸法
Rod Sample
φ4mm or φ6mm x L40mmφ4mm or φ6mm x L40mm
  • 超高真空タイプ1源エバポレーター AEV-11
特徴
・単原子層や薄膜の作製を目的に設計されており、ロッド状材料をEB加熱により高純度の蒸着を行うことが可能です。
・内蔵のフラックスモニターと専用コントローラーとの組み合わせにより蒸着速度を管理することが可能です。
・ロッド状材料が蒸着中に減少しても、試料移動機構により超高真空を破ることなく最適な蒸着試料位置への移動が可能です。

AEV-11.jpg
AEV-11_fig
仕様 Specification
ワーキングディスタンス
Working Distance
150mm150mm
蒸着エリア
Evaporation Area
φ8〜20mm程度
(アバーチャー入替にて選択可能)
Beam adjustment mechanism φ8-20mm (at WD = 150mm)
シャッター
Shutter
手動シャッターManual shutter
水冷
Water-Cooled
水冷却/30℃以下、0.5L/min以上Water-cooled shroud (cooling water: < 30 degrees C; 0.5L/min)
温度範囲
Temperature Range
〜3300℃up to 3300 degrees C
試料
Sample
ロッドまたはルツボ(オプション)Wire; Rod (high melting point material); evaporation from the crucible (optional)
蒸発速度
Deposition Rate
数原子層/minStandard evaporation rate: a few layers/min
蒸着モニター
Flux Monitor
蒸着制御用内蔵フラックスモニター (AEV-1P-300にて、蒸発レートコントロールが可能)lntrnal flux monitor for deposition control (for each source): The dedicated power supply unit AEV-1P-300, allows evaporation rate control
ロッド移動
Sample Movement
中空型直線移動機構(S=30mm)(中空型直線移動機構下部のφ34ICFフランジを通して蒸着材交換)Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the φ34 ICF flange
取付フランジ
Mounting
ICF70-FH
※取付ポートの内径はφ35mm以上必要
Mountable on ICF70 flange (I.D. (internal diameter) must be φ35 or larger)
ベーキング温度
Fully Bakeable
200℃ Max200 degrees C Max
ロッド材寸法
Rod Sample
φ2mm x L40mmφ2mm x L40mm
  • 超高真空タイプ3源エバポレーター AEV-3
特徴
・AEV-11と同じ蒸発源をφ70ICFに3源搭載したモデルになります。
・3源全てが独立しているので、3源同時蒸着が可能です。また、材料移動機構により、長期間超高真空を破ることなく実験を行うことができます。

AEV-3.jpg
AEV-3_fig
仕様 Specification
ワーキングディスタンス
Working Distance
120mm〜170mm120mm〜170mm
蒸着エリア
Evaporation Area
φ15〜20mm程度
(ワーキングディスタンスによる)
Beam adjustment mechanism φ15〜20mm
シャッター
Shutter
手動シャッターManual shutter
水冷
Water-Cooled
冷却水/30℃以下、1.0L/min以上Water-cooled shroud (cooling water : < 30 degrees C; 1.0L/min)
温度範囲
Temperature Range
〜3300℃Temperature: up to 3300 degrees C
試料
Sample
ロッドまたはルツボ(オプション)Wire; Rod (high melting point material); evaporation from the crucible (optional)
蒸発速度
Deposition Rate
数原子層/minStandard evaporation rate: a few layers/min
蒸着モニター
Flux Monitor
蒸着制御用内蔵フラックスモニター(各ソースに対しAEV-1P-300にて蒸発レートコントロールが可能)lnterna flux monitor for deposition control (dedicated power supply unit, AEV-1P-300 allows evaporation rate control)
ロッド移動
Sample Movement
中空型直線移動機構(S=30mm)(中空型直線移動機構下部のφ34ICFフランジを通して蒸着材交換)Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the φ34 ICF flange
取付フランジ
Mounting
ICF70-FH
※取付ポートの内径はφ35mm以上必要
Mountable on φ70 ICF flange (I.D. (internal diameter) must be φ35 or larger)
ベーキング温度
Fully Bakeable
200℃ Max200 degrees C Max
ロッド材寸法
Rod Sample
φ2mm x L40mmφ2mm x L40mm
  • エバポレーター専用コントローラー AEV-1P-300、AEV-3P-600
特徴
AEV-1P-300はAEV-11,AEV-3専用に設計されたコントローラーです。AEV-11,AEV-3と組み合わせて使用することにより、マニュアル操作によるコントロールはもちろん、フラックスモニターを使ったレートコントロールにより自動制御が可能です。
制御レンジは7レンジ構成で、レートコントロールが幅広く対応できるようになっております。尚、フラックスモニターのEXT出力をモニターすることにより蒸着条件の記録が可能です。
ガン本体にある温度モニターを利用し、安全回路を設けてあることにより、安心してご使用いただけます。
また、AEV-HR1とAEV-HR3にはHV出力の違うAEV-3P-600をご利用ください。
AEV-1P-300.jpg
AEV-1P-300_fig
仕様 Specification
サイズ
Dimensions
480(W)x149(H)x500(D)
※取付け奥行き 600
480(W) x 149(H) x 500(D)
requires 600(D) for installation
入力電源
Power Supply
AC 85V〜265V / 5AAC 85V - 265V / 5A
フィラメント電流
Filament Output
0〜5A0 - 5A
HV出力
HV Output
AEV-1P-300:0〜1000V at 300mA
AEV-3P-600:0〜3000V at 200mA
AEV-1P-300:0〜1000V at 300mA
AEV-3P-600:0〜3000V at 200mA
フラックスモニター入力
Flux Monitor Input
0〜10nAから0〜10mA
(7レンジ切り替え式)
7 ranges (10nA - 10mA) manual switch feature
フラックスモニター出力
Flux Monitor Output
0〜10V0 - 10V
インターロック入力
Interlock External
ドライ接点No-voltage contact
内部インターロック
Interlock Internal
冷却部温度モニター
HV 異常放
電設定値によるエミッションオーバーラン防止
Temperature monitor to avoid excessive high temperature
フラックスコントロール
Flux Control
自動/手動切替えAuto
  • New! エバポレーター専用セレクター AEV-3P-3C
特徴
AEV-3P-3CはAEV専用に設計されたセレクターです。3チャンネルまで切り替えが可能です。
ケーブルの抜き差しを行うことなく、手軽にガンの切り替えが行えます。
複数のガンを使用する際に、ケーブルの取り回しを気にすることなく効率よく作業できます。

AEV-3P-3C.jpg
仕様 Specification
サイズ
Dimensions
480(W)x149(H)x450(D)
※取付け奥行き 600
480(W) x 149(H) x 450(D)
requires 600(D) for installation
入力電源
Power Supply
AC 85V〜265V / 5AAC 85V - 265V / 5A
チャンネル
Channel
3Ch3Ch
  • 蒸着エリア可変タイプ有機 エバポレーター AEV-OD
特徴
 AEV-ODは、結晶性の高い有機薄膜の成膜を目的に設計されております。有機材料をルツボから低レートで安定した蒸発を行うことが可能です。また、フライトチューブの採用により蒸発した有機材料を拡散・付着させることなく、基板付近まで到達させて蒸着することが可能になりました。その為、少量の有機材料を効率よく蒸着することが出来ます。
 有機材料の飛散を最小限に抑えられますので、既存の超高真空システムに容易に導入することが可能になりました。

  1. 結晶性の高い有機薄膜が成膜可能
    低量蒸着レートで安定した蒸着により、結晶性の高い成膜が可能です。
  2. 少量の有機材料を効率よく蒸着 = 材料コストの削減
    フライトチューブを採用することにより、基板付近での蒸着が可能です。
    また、蒸発した材料を飛散させることなく成膜が可能です。
  3. 多源蒸着時に高純度な成膜が可能
    基板付近で蒸着することにより、材料の飛散が少なく成膜室の汚染を最小限に抑えられ高純度の多源蒸着が可能です。
  4. 既存システムに導入可能
    Zステージにより蒸着距離や取り合いを変えることにより既存品との干渉を回避する事が可能です。また、蒸着エリアを可変する事が出来るので、周辺の機構や測定器への有機材料の付着が気になりません。
  5. 全長選択可能
    仕様以外の寸法でも製作可能ですのでお問い合せ下さい。

制御方式フライトチューブ方式
フライトチューブ制御温度80℃〜350℃
蒸着エリアφ20mm(蒸着距離をZステージで可変する事によりエリア可変可能)
蒸着レート0.6Å / min 〜 数Å/ min
シャッター手動シャッター
蒸発材料加熱方式フィラメント加熱方式
ルツボ容量0.1cc
ルツボ温度モニタ熱電対 / Type-K
取付フランジICF70-FH
蒸発実績材料ペリレン誘導体・テリレン誘導体・ペンタセン誘導体
アントラセン柚導体・ペリレン分子・ペンタセン分子
テリレン分子・クォテリレン分子


AEV-OD_cad.jpg
AEV-OD.jpg
  • AEV-OD用コントローラ  AEV-ODP
特徴
AEV-ODPは、AEV-OD用に設計されたコントローラです。
フライトチューブ温度を80℃ 〜 350℃で4ch設定可能です。

ルツボヒーター制御PID制御
フライトチューブ温度設定4点切替式 (80℃〜350℃でご指定ください)
ルツボ温度モニターKタイプ熱電対
ルツボヒーター出力10V / 5A
外部インターロック無電圧接点付
入力電源AC100V / 5A
寸法W480×H149×D430mm(JISラックマウント)


AEV-ODP_cad.jpg


AEV-ODP_fig
ページ先頭へ ↑