製品案内｜AVC Co,.LTD　株式会社エイブイシー　分析装置試料作成装置

・低レート～高レートを安定して蒸着する事により、高融点材料の蒸着も可能です。
・試料移動機構が標準装備され、長時間の蒸着が可能です。
・内蔵のフラックスモニターと専用コントローラーとの組み合わせにより蒸着速度を管理することが可能です。
・ロッド状材料が蒸着中に減少しても、試料移動機構により超高真空を破ることなく最適な蒸着試料位置への移動が可能です。
・オプションにてルツボ対応も可（ご相談ください）
・PDFカタログはこちら→超高真空ワイドエリアエバポレーター（PDF)

仕様 Specification
ワーキングディスタンス Working Distance	～250mm	～250mm
蒸着エリア Evaporation Area	Ø80～Ø140mm程度（ワーキングディスタンスによる）	Beam adjustment mechanism Ø80-Ø140mm (depends on WD)
シャッター Shutter	手動シャッター	Manual shutter
水冷 Water-Cooled	水冷却/30℃以下、5L/min以上	Water-cooled shroud (cooling water: < 30 degrees C; 5L/min)
試料 Sample	ロッドまたはルツボ（オプション）	Wire; Rod (high melting point material); evaporation from the crucible (optional)
蒸発レート Deposition Rate	0.1原子層/min　～　0.5Å/s ※試料による	Standard evaporation rate: 0.1layers/min ～ 0.5Å/s
蒸着モニター Flux Monitor	蒸着制御用内蔵フラックスモニター（AEV-3P-600にて、蒸発レートコントロールが可能）	lntrnal flux monitor for deposition control (for each source): The dedicated power supply unit AEV-3P-600, allows evaporation rate control
ロッド移動 Sample Movement	中空型直線移動機構（S=30mm）（中空型直線移動機構下部のICF34フランジを通して蒸着材交換）	Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the ICF34 flange
取付フランジ Mounting	ICF114-FH ※取付ポートの内径はØ55mm以上必要 ※シャッターオープン時の有効内径は Ø58ｍｍ以上必要	Mountable on ICF114 flange (I.D. (internal diameter) must be Ø55mm or larger) (Range of Motion: Ø58 mm (Shutter Open))
ベーキング温度 Fully Bakeable	200℃ Max	200 degrees C Max
ロッド材寸法 Rod Sample	Ø4mm or Ø6mm x L40mm	Ø4mm or Ø6mm x L40mm

・AEV-HR-1と同じ蒸発源をICF152に3源搭載したモデルになります。
・3源全てが独立しているので、3源同時蒸着が可能です。また、試料移動機構により、長期間超高真空を破ることなく実験を行うことができます。
・ワーキングディスタンス200mmにて1インチの成膜分布問題無しを確認
・オプションにてルツボ対応も可（ご相談ください）

・PDFカタログはこちら→超高真空ワイドエリアエバポレーター（PDF)

仕様 Specification
ワーキングディスタンス Working Distance	～250mm	～250mm
蒸着エリア Evaporation Area	Ø80～Ø140mm程度（ワーキングディスタンスによる）	Beam adjustment mechanism Ø80-Ø140mm (depends on WD)
シャッター Shutter	手動シャッター	Manual shutter
水冷 Water-Cooled	水冷却/30℃以下、5L/min以上	Water-cooled shroud (cooling water: < 30 degrees C; 5L/min)
温度範囲 Temperature Range	～3300℃	up to 3300 degrees C
試料 Sample	ロッドまたはルツボ（オプション）	Wire; Rod (high melting point material)
蒸発レート Deposition Rate	0.1原子層/min　～　0.5Å/s ※試料による	Standard evaporation rate: 0.1layers/min ～ 0.5Å/s
蒸着モニター Flux Monitor	蒸着制御用内蔵フラックスモニター（AEV-3P-600にて、蒸発レートコントロールが可能）	lntrnal flux monitor for deposition control (for each source): The dedicated power supply unit AEV-3P-600, allows evaporation rate control
ロッド移動 Sample Movement	中空型直線移動機構（S=30mm）（中空型直線移動機構下部のICF34フランジを通して蒸着材交換）	Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the ICF34 flange
取付フランジ Mounting	ICF152-FH ※取付ポートの内径はØ114.3mm以上必要 ※シャッターオープン時の有効内径は Ø180ｍｍ以上必要	Mountable on ICF152 flange (I.D. (internal diameter) must be Ø114.3 or larger) (Range of Motion: Ø180 mm (Shutter Open))
ベーキング温度 Fully Bakeable	200℃ Max	200 degrees C Max
ロッド材寸法 Rod Sample	Ø4mm or Ø6mm x L40mm	Ø4mm or Ø6mm x L40mm

・単原子層や薄膜の作製を目的に設計されており、ロッド状材料をEB加熱により高純度の蒸着を行うことが可能です。
・内蔵のフラックスモニターと専用コントローラーとの組み合わせにより蒸着速度を管理することが可能です。
・ロッド状材料が蒸着中に減少しても、試料移動機構により超高真空を破ることなく最適な蒸着試料位置への移動が可能です。

仕様 Specification
ワーキングディスタンス Working Distance	150mm	150mm
蒸着エリア Evaporation Area	Ø8～Ø20mm程度 (アバーチャー入替にて選択可能）	Beam adjustment mechanism Ø8-Ø20mm (at WD = 150mm)
シャッター Shutter	手動シャッター	Manual shutter
水冷 Water-Cooled	水冷却/30℃以下、0.5L/min以上	Water-cooled shroud (cooling water: < 30 degrees C; 0.5L/min)
温度範囲 Temperature Range	～3300℃	up to 3300 degrees C
試料 Sample	ロッドまたはルツボ（オプション）	Wire; Rod (high melting point material); evaporation from the crucible (optional)
蒸発速度 Deposition Rate	数原子層/min	Standard evaporation rate: a few layers/min
蒸着モニター Flux Monitor	蒸着制御用内蔵フラックスモニター（AEV-1P-300にて、蒸発レートコントロールが可能）	lntrnal flux monitor for deposition control (for each source): The dedicated power supply unit AEV-1P-300, allows evaporation rate control
ロッド移動 Sample Movement	中空型直線移動機構（S=30mm）（中空型直線移動機構下部のICF34フランジを通して蒸着材交換）	Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the ICF34 flange
取付フランジ Mounting	ICF70-FH ※取付ポートの内径はØ35mm以上必要	Mountable on ICF70 flange (I.D. (internal diameter) must be Ø35 or larger)
ベーキング温度 Fully Bakeable	200℃ Max	200 degrees C Max
ロッド材寸法 Rod Sample	Ø2mm x L40mm	Ø2mm x L40mm

・AEV-11と同じ蒸発源をICF70に3源搭載したモデルになります。
・3源全てが独立しているので、3源同時蒸着が可能です。また、材料移動機構により、長期間超高真空を破ることなく実験を行うことができます。

仕様 Specification
ワーキングディスタンス Working Distance	120ｍｍ～170ｍｍ	120mm～170mm
蒸着エリア Evaporation Area	Ø15～Ø20mm程度 (ワーキングディスタンスによる)	Beam adjustment mechanism Ø15～Ø20mm
シャッター Shutter	手動シャッター	Manual shutter
水冷 Water-Cooled	冷却水/30℃以下、1.0L/min以上	Water-cooled shroud (cooling water : < 30 degrees C; 1.0L/min)
温度範囲 Temperature Range	～3300℃	Temperature: up to 3300 degrees C
試料 Sample	ロッドまたはルツボ（オプション)	Wire; Rod (high melting point material); evaporation from the crucible (optional)
蒸発速度 Deposition Rate	数原子層/min	Standard evaporation rate: a few layers/min
蒸着モニター Flux Monitor	蒸着制御用内蔵フラックスモニター（各ソースに対しAEV-1P-300にて蒸発レートコントロールが可能）	lnterna flux monitor for deposition control (dedicated power supply unit, AEV-1P-300 allows evaporation rate control)
ロッド移動 Sample Movement	中空型直線移動機構（S=30mm）（中空型直線移動機構下部のICF34フランジを通して蒸着材交換）	Linear motion feedthrough to locate the deposition sample (stroke = 30mm) Sample replacement through the ICF34 flange
取付フランジ Mounting	ICF70-FH ※取付ポートの内径はØ38mm以上必要、シャッター可動範囲Ø72	Mountable on ICF70 flange (I.D. (internal diameter) must be Ø38 or larger; Shutter movable range Ø72)
ベーキング温度 Fully Bakeable	200℃ Max	200 degrees C Max
ロッド材寸法 Rod Sample	Ø2mm x L40mm	Ø2mm x L40mm

AEV-1P-300はAEV-11,AEV-3専用に設計されたコントローラーです。AEV-11,AEV-3と組み合わせて使用することにより、マニュアル操作によるコントロールはもちろん、フラックスモニターを使ったレートコントロールにより自動制御が可能です。
制御レンジは7レンジ構成で、レートコントロールが幅広く対応できるようになっております。尚、フラックスモニターのEXT出力をモニターすることにより蒸着条件の記録が可能です。
ガン本体にある温度モニターを利用し、安全回路を設けてあることにより、安心してご使用いただけます。
また、AEV-HR1とAEV-HR3にはHV出力の違うAEV-3P-600をご利用ください。

仕様 Specification
サイズ Dimensions	480(W)x149(H)x500(D) ※取付け奥行き 600	480(W) x 149(H) x 500(D) requires 600(D) for installation
入力電源 Power Supply	AC 85Ｖ～265V / 5A	AC 85V - 265V / 5A
フィラメント電流 Filament Output	0～5A	0 - 5A
HV出力 HV Output	AEV-1P-300：0～1000V at 300mA AEV-3P-600：0～3000V at 200mA	AEV-1P-300：0～1000V at 300mA AEV-3P-600：0～3000V at 200mA
フラックスモニター入力 Flux Monitor Input	0～10nAから0～10mA (7レンジ切り替え式)	7 ranges (10nA - 10mA) manual switch feature
フラックスモニター出力 Flux Monitor Output	0～10V	0 - 10V
インターロック入力 Interlock External	ドライ接点	No-voltage contact
内部インターロック Interlock Internal	冷却部温度モニター HV 異常放電設定値によるエミッションオーバーラン防止	Temperature monitor to avoid excessive high temperature
フラックスコントロール Flux Control	自動/手動切替え	Auto

AEV-3SEL-1はAEV専用に設計されたセレクターです。３チャンネルまで切り替えが可能です。
ケーブルの抜き差しを行うことなく、手軽にガンの切り替えが行えます。
複数のガンを使用する際に、ケーブルの取り回しを気にすることなく効率よく作業できます。

仕様 Specification
サイズ Dimensions	480(W)x100(H)x450(D) ※取付け奥行き 600	480(W) x 100(H) x 450(D) requires 600(D) for installation
入力電源 Power Supply	AC 85V～265V / 5A	AC 85V - 265V / 5A
チャンネル Channel	3Ch	3Ch

　AEV-ODは、結晶性の高い有機薄膜の成膜を目的に設計されております。有機材料をルツボから低レートで安定した蒸発を行うことが可能です。また、フライトチューブの採用により蒸発した有機材料を拡散・付着させることなく、基板付近まで到達させて蒸着することが可能になりました。その為、少量の有機材料を効率よく蒸着することが出来ます。
　有機材料の飛散を最小限に抑えられますので、既存の超高真空システムに容易に導入することが可能になりました。

結晶性の高い有機薄膜が成膜可能
低量蒸着レートで安定した蒸着により、結晶性の高い成膜が可能です。
少量の有機材料を効率よく蒸着 = 材料コストの削減
フライトチューブを採用することにより、基板付近での蒸着が可能です。
また、蒸発した材料を飛散させることなく成膜が可能です。
多源蒸着時に高純度な成膜が可能
基板付近で蒸着することにより、材料の飛散が少なく成膜室の汚染を最小限に抑えられ高純度の多源蒸着が可能です。
既存システムに導入可能
Zステージにより蒸着距離や取り合いを変えることにより既存品との干渉を回避する事が可能です。また、蒸着エリアを可変する事が出来るので、周辺の機構や測定器への有機材料の付着が気になりません。
全長選択可能
仕様以外の寸法でも製作可能ですのでお問い合せ下さい。

制御方式	フライトチューブ方式
フライトチューブ制御温度	80℃～350℃
蒸着エリア	Ø20mm(蒸着距離をZステージで可変する事によりエリア可変可能)
蒸着レート	0.6Å / min ～数Å/ min
シャッター	手動シャッター
蒸発材料加熱方式	フィラメント加熱方式
ルツボ容量	0.1cc
ルツボ温度モニタ	熱電対 / Type-K
取付フランジ	ICF70-FH
蒸発実績材料	ペリレン誘導体・テリレン誘導体・ペンタセン誘導体アントラセン柚導体・ペリレン分子・ペンタセン分子テリレン分子・クォテリレン分子

AEV-ODPは、AEV-OD用に設計されたコントローラです。
フライトチューブ温度を80℃ ～ 350℃で4ch設定可能です。

ルツボヒーター制御	PID制御
フライトチューブ温度設定	4点切替式 (80℃～350℃でご指定ください)
ルツボ温度モニター	Kタイプ熱電対
ルツボヒーター出力	10V / 5A
外部インターロック	無電圧接点付
入力電源	AC100V / 5A
寸法	W480×H149×D430mm(JISラックマウント)