製品案内・蒸着装置
  • i-Quick
特徴
"i-Quick"は、独立行政法人産業技術総合研究所(産総研)・エレクトロニクス研究部門と共同で開発された、学生からベテラン研究者まで誰にでも高品質な蒸着膜を簡単に迅速に成膜出来るとても使いやすい蒸着装置です。
"i-Quick"の"i"とは、産総研・エレクトロニクス研究部門が提唱する人や環境への"あい"、Intelligence、個性(i)を実現する技術のコンセプトに基づいて設計・開発されました。
それに、"Quick"をプラスし操作や受け渡しが単純で確実、何度でも早く繰り返し成膜が出来る(QTAT)装置のブランドです。

到達真空度 成膜室:10-8Pa台試料準備室:10-6Pa台
試料準備室:10-6Pa台
成膜室
チェンバー
サイズ/材質:φ400×H500 SUS304製
内面処理:バフ研磨+電解研磨
φ203ICFビューイングポート(手動シャッター付、内部観察用)
φ 70ICF ビューイングポート(手動シャッター付、蒸発源観察用)
水冷パイプ巻き、シースヒーター巻き
メインポンプ 800L/sec.磁気軸受型ターボ分子ポンプ
補助ポンプ 350L/min.ロータリーポンプ
マニュピレータ Z軸ストローク:50mm
面内回転:360°連続モーター駆動(〜20rpm)
基板ホルダー φ3インチ(φ2,φ4インチも選択可)
蒸発源 3KW電子ビーム蒸発源(4基)
・ビーム加速電圧:5KV
・エミッション電流:0〜600mA
・ビームスイープ
・ルツボ数/容量:4個、3.8mL
・マウントフランジ:φ253ICF
  ※共蒸着:4元同時可能(但し、電子銃制御電源×4台必要、標準装備は1台)
試料準備室
チェンバー

サイズ/材質:φ100×H150、SUS304製
φ203ICF基板交換ハッチ
自動リークバルブ
搬送機構 マグネットフィードスルー式
 メインポンプ 300L/sec.磁気軸受型ターボ分子ポンプ
補助ポンプ 150L/min.ロータリーポンプ
荒引きポンプ 250L/min.オイルフリースクロールポンプ
制御・計測系
電離真空計
(ヌードイオンゲージ)
測定範囲:10-2〜10-9Pa
チャンネル数:2ch切換
コンベクトロン真空計 測定範囲:0.1MPa〜10-2Pa
チャンネル数:2ch
膜厚制御器 XTC/2、シャッター付UHVベーカブル検出器
タッチパネル式コントロール
(PC+LabVIEW*)
真空排気・リークの自動操作、ポンプ・バルブのリモート操作、
インターロック、オートリーク機能、停電対策
*LabVIEWとは、ナショナルインスツルメンツ社が開発した計測・テスト用ソフトウェアです。
i-Quick.jpg
  • 研究開発用小型MBE装置
特徴
半導体薄膜作製、太陽電池用薄膜作製の研究開発に最適な装置です。
弊社の超高真空技術によりクリーンな環境下で、ご希望の薄膜作製が可能です。
ロードロック室を搭載しておりますので、真空を破ることなく基板搬送が可能です。
また、オプションにより各種蒸発源や各種モニター等を選択することで、高精度なリアルタイム解析が可能な小型MBE装置です。

【仕様】
成膜室(極高真空対応脱ガス処理)
蒸着源ポート 8ポート
基板サイズ 〜3inch(基板回転機構付き)
※基板加熱・冷却はオプション
成膜室到達真空度 10-9Pa台
成膜室排気系 IP/TSP付
※オプションでLN2シュラウド搭載可能
ロードロック室(省スペース角形チェンバー)
基板搬送 超高真空トランスファー機構
ロードロック室排気系 300l/s磁気浮上型TMP・SP

蒸発源(オプション)
K-cell蒸発源(高温・SUMO型・バルブクラッカー型)
EB蒸発源
プラズマガスソース
リアルタイム解析(オプション)
RHEED装置+kSA400解析システム
高精度温度モニターBandiT
薄膜歪み・応力モニターMOS
RD0002.jpg
  • EB蒸着装置
特徴
5ポケット/10kW電子銃を2基搭載する事により 一度に最大10種類の材料を充填することが可能です。
サンプルパーキングや分析室などの拡張も行えます。

【仕様】
成膜室
チェンバー φ650×800 水冷パイプ巻/シースヒーター付
蒸発源 15cc 5連/10kW電子銃 2基
電子銃電源 15kW
試料マニピュレー 3軸マニピュレーター(X,Y,Z)
基板加熱 ランプ加熱機構 400℃
排気系 TMP 3300l/sec・RP 2000l/min

ロードロック室
搬送機構 マグネットフィードスルー/Oリング窓付ハッチ
排気系 TMP 200l/sec・SP
698MNK.jpg
  • マルチコンタクトデバイス評価装置
特徴
ロードロック室からデバイスを導入し、複数の電極の確実なコンタクトをする事により、デバイス評価ができます。
ガス導入系により任意のガス種、圧力での実験も可能です。

【仕様】
通電チェンバー
チェンバー φ250×350
試料マニピュレーター 3軸(X,Y,Z)/ 多ピンコンタクト機構付
排気系 TMP 800l/sec・SP 500l/min

ロードロック室
チェンバー φ250×350
搬送機構 トロッコ式サンプル導入機構
排気系 TMP 200l/sec・SP
ガス導入系
制御系 バラトロン圧力制御 (自動マスフロー流量制御)
697MNK.jpg
  • 金単結晶基板作製装置
特徴
均熱性の良い加熱機構と蒸着レートを制御する事により、 マイカ基板上に金単結晶膜を成膜する事ができます。
バッチ式のシステムにより、一度に複数枚の基板を簡単に作製する事が 可能です。

【仕様】
基板加熱 角型輻射加熱機構
基板ホルダー方式 角型スライド方式
基板枚数 10mm×10mm:21枚・10mm×20mm:12枚
基板シャッター 手動式
蒸発源 抵抗加熱式 3源ボートタイプ
到達真空度 10-6Pa台
膜厚モニター 水晶振動式
オプション 剥離防止処理ユニット
867DAG.jpg
  • CVD装置用ガス混合システム
特徴
CVD装置に混合したガスを供給する為のシステムです。
複数のガス種を任意の比率により混合して供給する事が出来ます。
ベントラインを設けることにより、バルブ操作による圧力の変動が軽減されるように設計されています。

【仕様】
ガスライン 10系統
配管継手 4VCR
エバポレーター 2ライン (温度制御)
バルブ開閉 別途ソフトウェアにより制御可能
DA0060.jpg
  • 簡易プラズマCVD装置
特徴
RFプラズマにより簡易的にプラズマCVD成膜が行えます。

【仕様】
成膜室
チェンバー バッチ式 φ159×95
RF機構 500W出力/自動制御システム
サンプルサイズ φ2inch以下
排気系 RP 250l/min

ガス導入系
ニードルバルブ流量制御
バタフライバルブ排気コンダクタンス制御
圧力モニター:バラトロン / コンベクトロンゲージ
823MNK.jpg
ページ先頭へ ↑